Двумерные материалы
Халгогениды переходных металлов на диэлектрических подложках. MoS2 и WS2 в виде плёнки получаются методом химического газофазного осаждения на поверхности сапфира или кремния с оксидом кремния.
Подробное описание метода получения и анализ образцов описаны в нашей статье, опубликованной в журнале MICROCRYSTALLINE, NANOCRYSTALLINE, POROUS, AND COMPOSITE SEMICONDUCTORS
